IBM موفق به تولید اولین چیپ‌های 7 نانومتری شد

به تازگی کمپانی بزرگ IBM به کمک شرکت‌های Samsung ،GlobaloFoundries و همچنین دانشگاه ایالتی نیویورک (State University of New York) موفق شدند اولین چیپ‌های 7 نانومتری را با به کارگیری تکنیک‌ها و مواد جدید تولید نمایند.

در ساخت این چیپ‌های 7 نانومتری از طراحی FinFET جدیدی استفاده شده که نسبت به ترانزیستورهای قدیمی‌تر با طراحی FinFET که در کانال‌های آنها از سیلیکون ساده استفاده شده بود، در این طراحی جدید از آلیاژ سیلیکون ژرمانیوم استفاده شده است. دلیل استفاده از آلیاژ ژرمانیوم نیز به خاطر اختلال در عملکرد الکترون‌های ساده در سیلیکون‌های قدیمی‌تر می‌باشد که باعث اختلال در عملکرد می‌شود و ژرمانیوم می‌تواند جلوی این موضوع را بگیرد.

در تولید این چیپ‌های 7 نانومتری، بر خلاف چیپ‌های 14 نانومتری که در ساخت آنها از لیزرهای فلوراید آرگون استفاده شده، به کمک چاپ و تاباندن اشعه ماورای بنفش شدید (EUV) تولید شده‌اند و همین موضوع سبب شده تا بتواند این چیپ‌ها را با طول موج کمتر و ابعاد کوچکتر تولید نمود. هر چند که استفاده از اشعه ماورای بنفش شدید شاید از نظر شرایط همانند فلوراید آرگون آسان نباشد اما پس از تاباندن این اشعه، دیگر نیاز به انجام کارهای پیچیده و به کارگیری تکنیک‌های مختلف نخواهد بود.

مهندسین در جدیدترین دستیابی خود موفق شده‌اند تا ترانزیستورها را در این چیپ‌های 7 نانومتری به طرز قابل توجهی فشرده‌تر از قبل کرده و ضخامتی تنها برابر با 30 نانومتر را برای این چیپ به وجود آورند. در نتیجه ابعاد این چیپ به اندازه‌ی 50 درصد از چیپ‌های 10 نانومتری کمتر خواهد شد. همچنین مهندسین این شرکت معتقدند که کاهش حجم این چیپ می‌تواند حداقل تا 50 درصد در عملکرد بهتر آنها تاثیر داشته باشد.

البته برخی از مسائل هنوز وجود دارند که IBM با آنها روبروست و شاید رسیدن به تکنولوژی ساخت برای تولید انبوه این چیپ‌ها تا سال 2017 یا 2018 طول بکشد. هرچند، اگر IBM بتواند این چیپ‌ها را به صورت اقتصادی و پایدار تولید نماید، باید گوشه چشمی به کمپانی قدیمی و بزرگ اینتل نیز داشته باشد چرا که هم‌اکنون این غول آمریکایی در حال تولید چیپ‌های 10 نانومتری به صورت انبوه است و شاید این شرکت بتواند زودتر از IBM به تکنولوژی ساخت چیپ‌های 7 نانومتری دست پیدا نماید.