سامسونگ تولید حافظه های ۲۳۶ لایه را آغاز کرد

سامسونگ اعلام کرد حافظه های ۲۳۶ لایه 3D Nand این شرکت به صورت انبوه در حال تولید است. استفاده از این حافظه ها در درایوهای SSD سرعت آنها را به 12.4 گیگابایت بر ثانیه می رساند.

به گزارش سرویس اخبار فناوری و تکنولوژی تکنا، طبق بیانیه سامسونگ هشتمین نسل حافظه های سری V-NAND یا همان حافظه ۳۳۶ لایه 3D NAND در حال تولید است. سرعت انتقال در این حافظه های جدید به ۲.۴۰۰ مگاترنسفر بر ثانیه می رسد. در صورت ترکیب آنها با کنترلری پیشرفته امکان ساخت درایوهای ذخیره سازی SSD با سرعت انتقال ۱۲.۴ گیگابایت بر ثانیه بوجود می آید.

تام هاردور، طD گزارشی اعلام کرد : دستگاه مرجع با حافظه جدید دارای ظرفیت ۱۲۸ گیگابایتی است. طبق ادعای سامسونگ دستگاه جدید بیشترین تراکم بیت در صنعت را داراست.

در صورت ثابت ماندن ظرفیت، نسل جدید حافظه های این شرکت نسبت به نسل کنونی حدود ۲۰ درصد بهره وری بیشتری دارد. این موضوع باعث میشود تا سامسونگ هزینه کمتری برای تولید آن داشته باشد و ممکن است به کاهش قیمت درایوهای SSD نیز بیانجامد.