سامسونگ تولید چیپست 10 نانومتری گلکسی S8 را افزایش می‎دهد

سامسونگ روز گذشته به اطلاع منابع خبری رساند که قصد دارد تولید چیپست‎های خود را با استفاده از فرآیند تولید 10 نانومتری افزایش دهد. در حال حاضر این چیپست‎ها تنها اگزینوس 8895 و اسنپ‎دراگون 835 با چنین فناوری‎هایی مورد معرفی قرار گرفته‎اند، اما ما می‎توانیم با خیال راحت اعلام کنیم که خبر سامسونگ به معنای تولید انبوه چیپ‎های 10 نانومتری است. تا کنون بیش از 70 هزار ویفر سیلیکونی نسل اول، یا به اصطلاح چیپست‎های با معماری‎های LPE (توان کم اولیه) در اختیار مشتریان قرار داده شده است.

به گفته‎ی معاون اجرایی و رییس بخش ریخته‌گری شرکت سامسونگ، مدل‎های بهبودیافته‎ی LPP و LPU “به ترتیب تا انتهای امسال و سال بعد مورد تولید انبوه قرار می‎گیرند”. این دو مدل یقینا در مرحله‎ی بعدی فرآیند تولید قرار دارند.

سامسونگ هم‎چنین از این فرصت اعلام کرده و فناوری‎های 8 و 6 نانومتری خود را که وارد جدول زمانی بخش ریخته‎گری این شرکت شده است را معرفی کرد. نیازی به گفتن نیست که این چیپ‎ها “در مقایسه با خط‎های تولید فعلی مقیاس‎پذیری بیشتر داشته و از مزایایی در بخش قدرت و عملکرد بهره‎مند هستند” ولی از فناوری تولید پردازنده‎های 10 و 7 نانومتری استفاده خواهند کرد. تمامی مشخصات جزئیات فنی آخرین چیپست‎های 8 و 6 نانومتری سامسونگ در انجمن اختصاصی ریخته‎گری سامسونگ در تاریخ 3 اسفندماه اعلام خواهد شد. به عبارت دیگر این خبر می‎تواند نشان دهد که سال بعد شاهد استفاده از چیپست‎های سریع‎تر و مقرون به صرفه‎تر در گوشی‎های هوشمند خواهیم بود.