سامسونگ قصد دارد در نیمه دوم سال آینده نسل جدیدی از تراشه‌های ۳ و ۴ نانومتری عرضه کند

سامسونگ اعلام کرد در نیمه دوم سال آینده  تولید انبوه تراشه‌ها از نسل دوم لیتوگرافی سه نانومتری و نسل چهارم لیتوگرافی ۴ نانومتری را آغاز خواهد کرد.

به گزارش سرویس اخبار فناوری و تکنولوژی تکنا، سامسونگ در مراسم مربوط به اعلام درآمد فصل سوم این شرکت اعلام کرد تولید انبوه تراشه‌ها مربوط به نسل دوم لیتوگرافی سه نانومتری و لیتوگرافی آنانومتری از نیمه دوم سال آینده آغاز خواهد شد.

با وجود عملکرد نامناسب این شرکت در سال جاری میلادی  در این حوزه، سامسونگ قصد دارد در سال آینده وضعیت خود را بهبود بخشد. نسل دوم فرایند ساخت تراشه‌های سه نانومتری این شرکت همراه با بهبود چشمگیری نسبت به نسل اول خواهد داشت. مشتریان این شرکت می‌توانند انتخاب بهتری برای ارز کانال‌های ترانزیستورهای GAA یا Gate All Around داشته باشند.

نسل اول لیتوگرافی سه نانومتری این شرکت در سال گذشته عرضه شده و از آن برای ساخت تراشه‌های استخراج رمز ارز استفاده شده بود. این شرکت قصد دارد جدید را با عملکرد بهتر از نظر مصرف انرژی و با فرکانس بالاتر به همراه تعداد ترانزیستور یکسان عرضه کند. فرایند ساخت تراشه‌های جدید نسبت به نسل قبل تا ۲۲ درصد عملکرد بهتری به همراه مصرف انرژی یکسان خواهد داشت.