سامسونگ تولید انبوه اولین نمونه حافظه‌های DRAM کلاس 10 نانومتری را آغاز کرد

روز گذشته سامسونگ اطلاعات بسیار خوبی در مورد آغاز تولید انبوه اولین نمونه حافظه‌های DDR4 DRAM خبر داد و اعلام کرد که تولید اولین حافظه‌های کلاس 10 نانومتری این حافظه‌ها با ظرفیت 8Gb (هشت گیگابیت) را آغاز کرده است. حافظه‌های DDR4 به سرعت در حال گسترده شدن میان کاربران و همینطور افراد حرفه‌ای و سازمان‌های مختلف می‌باشد و سامسونگ نیز تمام تلاش خودر ا داشته تا بتواند این صنعت و به کارگیری این حافظه‌های پر سرعت را با سرعت هر چی بیشتری جلو برد.

تولید چنین حافظه‌هایی واقعا کار بسیار سختی بوده و مهندسین توانمند سامسونگ موفق شده‌اند پس از مدتی طولانی، این حافظه‌ها را به کمک لیتوگرافیی غوطه‌ور بودن فلوراید آرگون (ArF) و بدون احتیاج به اشعه‌ی ماورای فرا بنفش، تولید نمایند. حل کردن این موضوع نشان می‌دهد که مهندسین شرکت سامسونگ تا چه اندازه توانمند هستند چرا که در سال 2014 نیز برای اولین بار بود که این شرکت موفق به تولید اولین نمونه از حافظه‌های 4Gb DDR3 DRAM کلاس 20 نانومتری شده بود.

یکی از مدیران ارشد سامسونگ، آقای یونگ-جیون هون در مورد این حافظه‌ها اشاره داشت که تولید این محصولات باعث خواهد شد تا در آینده شاهد افزایش سرعت پیشرفت تکنولوژی و کامیپوترها باشیم. همچنین مهندسین سامسونگ حالا که موفق به پیدا کردن راهی مناسب برای تولید این حافظه‌ها شده‌اند، کار تولید و توسعه نسل دوم از این حافظه‌ها را نیز آغاز کرده‌اند و در آینده نزدیک می‌توانند کمک بسزایی به تولیدات گوشی‌های هوشمند و حافظه‌های آنها نمایند. حالا حافظه‌های 10 نانومتری سامسونگ، سرعت آنها را نسبت به نسل قبلی که حافظه‌های 8 گیگابیتی و 10 نانومتری بودند، تا 30 درصد بهتر کرده است.

سرعت انتقال اطلاعات در حافظه‌های DRAM جدیدی که سامسونگ موفق به تولید آنها شده، 3200Mb/s می‌باشد که نسبت به نسل قبل که 2400Mb/s بود، تا حد قابل توجهی افزایش پیدا کرده و علاوه بر این، مصرف برق این حافظه‌ها نیز 10 تا 20 درصد کمتر از گذشته است. شاید تصور کنید که کاهش پیدا کردن این مصرف برق تا این میزان چندان بالا نخواهد بود اما با توجه به به‌کارگیری این حافظه‌ها به تعداد بالا در شبکه‌اهی کامپیوتری و سیستم‌های بزرگ، می‌توانیم شاهد مصرف برق بسیار کمتر و بهینه‌تر این حافظه‌ها باشیم.

بر خلاف حافظه‌های NAND که در آن هر سلول تنها به یک ترانزیستور مجهز شده، هر سلول از حافظه‌های DRAM به یک ترانزیستور و یک خازن مجهز شده‌اند که گویی به یکدیگر متصل بوده و خازن نیز در بخش بالایی ترانزیستور قرار گرفته است. یکی از مواردی که سبب شده بود تا تولیدات این حافظه‌های 10 نانومتری بسیار سخت باشد، این بود که سازندگان باید دسته‌ی ترانزیستورها و خازن‌ها در یک لایه و بر روی یکدیگر قرار می‌گرفتند، لایه‌ای که فضای بسیار کمی دارد و به همین جهت باید شکل آن به صورت یک سیلندر طراحی میشد. همچنین تعداد سلول‌هایی که باید تولید می‌شدند هم چیزی بیشتر از 8 میلیارد سلول می‌باشد و همین موضوع باعث به چالش کشیده شدن توانایی مهندسین سامسونگ شد. طراحی بسیار خوب شکل سلول‌ها، به کارگیری لیتوگرافی QPT (فناوری الگودهی چهارگانه) و به کارگیری لایه‌های بسیار نازک دی‌الکتریک، از جمله مواردی بودند که سامسونگ به کمک آنها توانست این حافظه‌ها را به بهترین شکل ممکن تولید نماید.

دستاوردهای سامسونگ در این زمینه سبب شده تا این شرکت بخواهد تا پایان سال جاری نوع جدیدی از این حافظه‌ها را با ظرفیت بالاتر معرفی نماید و بتواند صنعت‌ حافظه‌های DRAM را تا حد زیادی دگرگون سازد. همچنین سامسونگ تلاش دارد تا بتواند حافظه‌های 128 گیگابایتی فعلی که با فناوری 20 نانومتری و مخصوص کامپیوترها و شبکه‌ها تولید شده است را با حافظه‌های نسل جدید 10 نانومتری تعویض نماید.