دانشمندان چینی ساختار جدیدی در سلول‌های خورشیدی پروسکایتی ایجاد کردند

محققان دانشگاه شهر هنگ کنگ (CityUHK) با ابداع یک روش ساخت جدید، گام بزرگی در جهت تجاری‌سازی سلول‌های خورشیدی پروسکایتی برداشته‌اند. این روش نه تنها پایداری و کارایی این سلول‌ها را به طور قابل توجهی افزایش می‌دهد، بلکه هزینه تولید آن‌ها را نیز کاهش می‌دهد. به گزارش دپارتمان اخبار علمی رسانه فناوری تکنا، پروسکایت، ماده‌ای […]

محققان دانشگاه شهر هنگ کنگ (CityUHK) با ابداع یک روش ساخت جدید، گام بزرگی در جهت تجاری‌سازی سلول‌های خورشیدی پروسکایتی برداشته‌اند. این روش نه تنها پایداری و کارایی این سلول‌ها را به طور قابل توجهی افزایش می‌دهد، بلکه هزینه تولید آن‌ها را نیز کاهش می‌دهد.

به گزارش دپارتمان اخبار علمی رسانه فناوری تکنا، پروسکایت، ماده‌ای است که به دلیل توانایی بالای آن در تبدیل نور خورشید به الکتریسیته، توجه بسیاری از محققان را به خود جلب کرده است. با این حال، یکی از چالش‌های اصلی در تجاری‌سازی سلول‌های خورشیدی پروسکایتی، پایداری کم آن‌ها بوده است. محققان CityUHK با استفاده از روش رسوب‌دهی لایه اتمی (ALD)، یک لایه جدید از جنس اکسید قلع را جایگزین لایه انتقال الکترون سنتی در سلول‌های خورشیدی پروسکایتی کردند. این تغییر ساده اما مؤثر، پایداری سلول‌ها را به طور چشمگیری افزایش داده است. علاوه بر این، آن‌ها با ادغام مواد انتخابی حفره و لایه‌های پروسکایت، فرآیند تولید را ساده‌تر و مقرون‌به‌صرفه‌تر کرده‌اند.

سلول‌های خورشیدی ساخته شده با این روش، پایداری بسیار بالایی دارند و می‌توانند برای مدت طولانی بدون کاهش کارایی، به تولید برق ادامه دهند. این سلول‌ها قادرند بیش از ۲۵ درصد از نور خورشید را به الکتریسیته تبدیل کنند که رقمی بسیار چشمگیر است. ساده‌سازی فرآیند تولید و کاهش استفاده از مواد گران‌قیمت، هزینه تولید این سلول‌ها را به طور قابل توجهی کاهش می‌دهد.

با توجه به نتایج این تحقیق، می‌توان انتظار داشت که در آینده نزدیک، سلول‌های خورشیدی پروسکایتی به عنوان یکی از منابع اصلی تولید انرژی پاک در جهان مورد استفاده قرار گیرند. این فناوری می‌تواند نقش مهمی در مقابله با تغییرات آب و هوایی و دستیابی به یک آینده پایدار ایفا کند. در کل، این دستاورد علمی گامی بزرگ در جهت توسعه فناوری‌های پاک و پایدار محسوب می‌شود و می‌تواند به حل مشکلات انرژی در جهان کمک کند.