سامسونگ تولید انبوه تراشه‌های 10 نانومتری خود را آغاز کرده است

سامسونگ امروز اعلام کرد که تولید انبوه محصولات سیستم روی چیپ با فناوری 10 نانومتری FinFE را آغاز کرده است، که طبق گفته‎ی این شرکت کره‎ای برای اولین بار در این صنعت شاهد رخ دادن این اتفاق هستیم.

Jong Shik Yoon معاون مدیر اجرائی و رئیس بخش ریخته‎گری Samsung Electronics گفت “برای اولین بار در این صنعت تولید انبوه تراشه‎های با فناوری 10 نانومتری FinFE صورت گرفته است که رهبری ما را در این فناوری پیشرفته را نشان می‎دهد. ما تلاش‎های خود را برای ایجاد نوآوری در تغییر اندازه‎ی این فناوری‎ها ادامه خواهیم داد و راه‎حل‎های کاملا تمایزی در اختیار مشتریانمان قرار می‎دهیم.”

پروسه جدید 10 نانومتری FinFET (10LPE) توسط این غول دنیای فناوری کره با پذیرش یک ساختار ترنزیستور 3 بعدی پیشرفته صورت گرفته است و در زمان مقایسه با نسل قبلی تراشه‎های 14 نانومتری این شرکت، پیشرفت‎هایی هم در فناوری پردازش و هم قابلیت‎های طراحی به وجود آورده است.

سامسونگ در یک کنفرانس مطبوعاتی اعلام کرده است این فناوری به “بالا بردن کارآیی سطحی به مقدار حداکثر 30 درصد، رسیدن به سطح عملکردی به مقدار 27 درصد بیشتر یا مصرف توان 40 درصد کمتر” اجازه می‎دهد.

این شرکت هم‎چنین گفته است که تراشه‎های ساخته شده با این فرآیند جدید 10 نانومتری در اوایل سال 2017 عرضه خواهند شد، در همین حین نسل دوم فرآیند 10 نانومتری (10LPP) این شرکت با افزایش عملکرد بیشتر در نیمه‎ی دوم سال 2017 به تولید انبوه خواهد رسید.