سامسونگ به زودی تولید نسل دوم چیپست‎های 10 نانومتری را آغاز می‎کند

شرکت اینتل شیوه‎ی به اصطلاح “تیک‎-‎تاک” را در ساخت چیپ‎های خود در پیش گرفته یعنی یک جهش بزرگ و سپس یک بهبود در هر نسل و با آن‎که اوضاع اخیرا بسیار پیچیده‎تر شده است، اما این شرکت در ارائه‎ی چیپ‎های خود این استراتژی را هم‎چنان در پیش گرفته است. حال سامسونگ اعلام کرده که تولید نسل دوم چیپست‎های 10 نانومتری آماده بوده و ظرفیت تولید آن را افزایش داده است.

چیپست‎های اگزینوس 8895 و اسنپ‎دراگون 835 براساس فناوری 10 نانومتری LPE یا Low Power Early ساخته شده‎اند. نسل دوم قرار است چیپست‎های 10 نانومتری LPP یا  Low Power Plus نامیده شوند که در معماری سه‎بعدی FinFET با بهبودهایی همراه می‎شوند.

نتیجه‎ی این تصمیم افزایش ده درصدی عملکرد یا کاهش 15 درصدی مصرف انرژی است. یقینا شاهد این خواهیم بود که تراشه‎های 10 نانومتری LPP برای مدل بعدی چیپ‎های رده‎بالای اگزینوس و اسنپ‎دراگون استفاده شوند. سامسونگ در جدیدترین خطوط تولید خود  نصب تجهیزات ساخت (کارخانه S3 شهر Hwaseong کره) را شروع کرده است، کارخانه‎هایی که در سه‎ماهه‎ی پایانی سال جاری میلادی شروع به ساخت این چیپ‎ها خواهند کرد.

یک مثال مهاجرت از LPE به LPP را می‌توان در حرکت از اکسینوس 7420 در گلکسی اس 6 به اکسینوس 8890 در گلکسی اس 7 این شرکت دید که هر دو براساس فناوری 14 نانومتری ساخته شده بودند. البته فرآیند جدید LPE تنها به معنای شکل‎گیری برخی از بهبودها است. به عنوان مثلا، اسنپ‎دراگون 820 و 821 هردو براساس فناوری 14 نانومتری مشابه LPP ساخته شده بودند ولی مدل جدیدتر فرکانس بالاتر یا مصرف انرژی کمتر داشت.